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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.15 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-225AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE702G | ONSEMI |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE702LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE702STU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE702T | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| MJE702T | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE702T | NJSEMI |
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Trans Darlington PNP 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| MJE702TLEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| MJE703 | ONSEMI |
获取价格 |
DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY |
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| MJE703 | SAMSUNG |
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NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
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| MJE703 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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