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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE702 | SAMSUNG |
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NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
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| MJE702 | FAIRCHILD |
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Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
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| MJE702 | MOTOROLA |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE702 | ONSEMI |
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DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY |
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| MJE702 | CENTRAL |
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4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington |
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| MJE702 | NJSEMI |
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Trans Darlington PNP 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk |
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| MJE702G | ONSEMI |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE702LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE702STU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE702T | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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