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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE701LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE701STU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE701T | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| MJE701T | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE701T | NJSEMI |
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Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| MJE702 | SAMSUNG |
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NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
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| MJE702 | FAIRCHILD |
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Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
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| MJE702 | MOTOROLA |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE702 | ONSEMI |
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DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY |
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| MJE702 | CENTRAL |
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4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington |
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