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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE5852T | MOTOROLA |
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8A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5852U | MOTOROLA |
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8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5852U2 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE5852UA | MOTOROLA |
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8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5852W | MOTOROLA |
获取价格 |
8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| MJE5852WD | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| MJE6040 | NJSEMI |
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POWER DERATING |
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| MJE6041 | NJSEMI |
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POWER DERATING |
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| MJE6041T | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 60V 8A |
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| MJE6042 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 60V 8A |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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