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MJE3055

更新时间： 2024-02-21 20:25:20

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	91K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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MJE3055 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MJE3055 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

MJE3055

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 20-100@I_C= 4A

·Complement to Type MJE2955

APPLICATIONS

·Designed for use in general-purpose amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.39

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE3055-BP	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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MJE3055T	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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MJE3055T	SAMSUNG	获取价格	NPN (GENERAL PURPOSE AND SWITCHING APPLICATIONS)
MJE3055T	FAIRCHILD	获取价格	General Purpose and Switching Applications
MJE3055T	STMICROELECTRONICS	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE3055T	MOTOROLA	获取价格	10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS