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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE13009F
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MJE13009F

更新时间： 2024-09-22 22:35:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
5页 55K
描述
High Voltage Switch Mode Application

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MJE13009F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

MJE13009F 数据手册

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MJE13009F  
High Voltage Switch Mode Application  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
700  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
9
V
I
I
I
12  
A
C
24  
6
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
-65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
I
= 10mA, I = 0  
400  
CEO  
EBO  
C
B
I
V
= 7V, I = 0  
1
mA  
EB  
C
h
DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 5A  
8
6
40  
30  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 8A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 5A, I = 1A  
1
1.5  
3
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 8A, I = 1.6A  
B
= 12A, I = 3A  
B
(sat)  
I
I
= 5A, I = 1A  
1.2  
1.6  
V
V
BE  
C
C
B
= 8A, I = 1.6A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn ON Time  
V
V
V
= 10V , f = 0.1MHz  
180  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.5A  
4
T
C
=125V, I = 8A  
1.1  
3
ON  
C
I
= - I = 1.6A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 15,6Ω  
L
Fall Time  
0.7  
µs  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE13009G ONSEMI

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 		12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
MJE13009G-K-T3P-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor
MJE13009G-K-TA3-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor
MJE13009G-P-T3B-T UTC

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 		POWER TRANSISTOR,
MJE13009G-P-T3P-T UTC

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 		SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS
MJE13009G-P-TA3-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor
MJE13009G-Q-TA3-T UTC

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 		NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING APPLICATIONS
MJE13009G-T3P-T UTC

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