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MJE13007

更新时间： 2024-09-23 11:59:23

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS

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MJE13007 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最大降落时间（tf）：	700 ns	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	最大上升时间（tr）：	1500 ns
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
最大关闭时间（toff）：	3700 ns	最大开启时间（吨）：	1600 ns
VCEsat-Max：	1.6 V	Base Number Matches：	1

MJE13007 数据手册

SEMICONDUCTORS

MJE13007

SILICON POWER TRANSISTORS

NPN power transistors in a TO-220 package. They are intended for high voltage, high speed power

switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115V and 220V

SWITCHMODE applications such as switching regulator’s, inverters, motor controls, solenoid/relay

drivers and deflection circuits.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

I_BM

I_E

I_EM

P_T

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Peak Current (*)

Base Current

Base Peak Current (*)

Emitter Current

Emitter Peak Current (*)

Power Dissipation at Case Temperature

Junction Temperature

Storage Temperature range

400

700

@ T_mb< 25°

150

-65 to +150

t_J

t_s

°C

(*)Pulse Width = 5ms, duty cycle <10%.

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

From Junction to Case Thermal Resistance

From Junction to Free-Air Thermal Resistance

1.56

62.5

°C/W

02/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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