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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD5731T4G
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MJD5731T4G

更新时间： 2024-09-15 10:55:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 114K
描述
High Voltage PNP Silicon Power Transistors

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MJD5731T4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.89
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

MJD5731T4G 数据手册

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MJD5731  
High Voltage PNP Silicon  
Power Transistors  
Designed for line operated audio output amplifier,  
SWITCHMODEt power supply drivers and other switching  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
• 350 V (Min) − V  
CEO(sus)  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
1.0 AMPERE  
• 1.0 A Rated Collector Current  
• PNP Complements to the MJD47 thru MJD50 Series  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
350 VOLTS, 15 WATTS  
Machine Model, C u 400 V  
• These are Pb−Free Packages  
4
2
1
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
350  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
V
CEO  
V
EB  
I
C
1.0  
3.0  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
MARKING DIAGRAM  
P
D
15  
0.12  
W
W/°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
AYWW  
J
5731G  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
D
W
@ T = 25°C  
1.56  
0.0125  
A
Derate above 25°C  
W/°C  
Unclamped Inductive Load Energy  
(See Figure 10)  
E
20  
mJ  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Device Code  
= Pb−Free Package  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
WW  
J5731  
G
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
8.33  
°C/W  
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
80  
°C/W  
q
JA  
†
Device  
MJD5731T4G  
Package  
Shipping  
(Note 1)  
DPAK  
(Pb−Free)  
2500/Tape & Reel  
Lead Temperature for Soldering  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
January, 2011 − Rev. 4  
MJD5731/D  
 
12345

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