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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJD5731T4G | ONSEMI |
类似代替  |
High Voltage PNP Silicon Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD5731T4G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Power Transistors |
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| MJD6036 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6036-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6036T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6039 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6039 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Power Transistors |
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| MJD6039-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6039T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6039T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Power Transistors |
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| MJD6039T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Power Transistors |
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