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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD5731_11 | ONSEMI |
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High Voltage PNP Silicon Power Transistors |
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| MJD5731-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-05, DPAK-3 |
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| MJD5731T4 | MOTOROLA |
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1A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369A-13, DPAK-3 |
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| MJD5731T4 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Power Transistors |
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| MJD5731T4G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage PNP Silicon Power Transistors |
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| MJD6036 | MOTOROLA |
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SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6036-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD6036T4 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD6039 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD6039 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Power Transistors |
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