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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD50I
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MJD50I

更新时间： 2024-11-05 13:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

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MJD50I 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

MJD50I 数据手册

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MJD47/50  
High Voltage and High Reliability  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: MJD47  
: MJD50  
350  
500  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: MJD47  
: MJD50  
250  
400  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
EBO  
I
I
1
2
C
A
CP  
B
I
0.6  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.56  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
: MJD47  
: MJD50  
I
= 30mA, I = 0  
250  
400  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
: MJD47  
V
V
= 150V, I = 0  
0.2  
0.2  
mA  
mA  
CE  
V
B
: MJD50  
= 300V, I = 0  
B
CE  
Collector Cut-off Current  
: MJD47  
= 350, V = 0  
0.1  
0.1  
mA  
mA  
CE  
EB  
: MJD50  
V
= 500, V = 0  
EB  
CE  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
BE  
C
h
V
V
= 10V, I = 0.3A  
30  
10  
150  
FE  
CE  
CE  
C
= 10V, I = 1A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= 1A, I = 0.2A  
1
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
= 10A, I = 1A  
1.5  
CE  
CE  
C
f
=10V, I = 0.2A  
10  
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
1234

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