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MJD50

更新时间： 2024-09-14 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 187K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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MJD50 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.44
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHz

MJD50 数据手册

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by MJD47/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
*Motorola Preferred Device  
DPAK For Surface Mount Applications  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
1 AMPERE  
Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers  
and other switching applications.  
•
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)  
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)  
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50  
250, 400 VOLTS  
15 WATTS  
250 and 400 V (Min) — V  
1 A Rated Collector Current  
CEO(sus)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
MJD47  
250  
MJD50  
400  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
CASE 369A–13  
V
CB  
350  
500  
V
EB  
5
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
1
2
Base Current  
I
B
0.6  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
15  
0.12  
Watts  
W/ C  
CASE 369–07  
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.56  
0.0125  
Watts  
W/ C  
MINIMUM PAD SIZES  
RECOMMENDED FOR  
SURFACE MOUNTED  
APPLICATIONS  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
8.33  
80  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
Lead Temperature for Soldering Purpose  
R
R
θJC  
θJA  
T
L
260  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) MJD47  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V
250  
400  
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
MJD50  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 150 Vdc, I = 0)  
MJD47  
MJD50  
—
—
0.2  
0.2  
B
= 300 Vdc, I = 0)  
B
inches  
mm  
* When surface mounted on minimum pad sizes recommended.  
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.  
(continued)  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
123456

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MJD50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH50TF ONSEMI

完全替代

 NPN外延硅晶体管
MJD50G ONSEMI

完全替代

 High Voltage Power Transistors
MJD50T4G ONSEMI

完全替代

 High Voltage Power Transistors

与MJD50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD50_12 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
MJD50-1 MOTOROLA

获取价格

 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Power Transistors
MJD50I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD50RLG ONSEMI

获取价格

 		1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50T4 MOTOROLA

获取价格

 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50T4 ONSEMI

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 		1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50T4G ONSEMI

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 		High Voltage Power Transistors
MJD50TF ONSEMI

获取价格

 		1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD50TF FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述

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