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MJD50

更新时间： 2024-11-04 22:33:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
6页	90K
描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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MJD50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

MJD50 数据手册

MJD50

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

■

ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP50

APPLICATIONS

■

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

AUDIO AMPLIFIERS

GENERAL PURPOSE SWITCHING AND

AMPLIFIER

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

DESCRIPTION

The MJD50 is manufactured using Medium

Voltage Epitaxial Planar technology,resulting in a

rugged high performancecost-effectivetransistor.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

500

400

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

0.6

I_B

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Storage Temperature

1.2

P_tot

T_stg

T_j

^oC

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/6

January 2000

12 3 4 5 6

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与MJD50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD50_12	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
MJD50-1	MOTOROLA	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Power Transistors
MJD50I	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD50RLG	ONSEMI	获取价格	1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50T4	MOTOROLA	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50T4	ONSEMI	获取价格	1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50T4G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Power Transistors
MJD50TF	ONSEMI	获取价格	1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD50TF	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述