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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD42C
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MJD42C

更新时间： 2024-11-04 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
Complementary Power Transistors

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MJD42C 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.11外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：140 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

MJD42C 数据手册

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MJD41C (NPN)  
MJD42C (PNP)  
Preferred Device  
Complementary Power  
Transistors  
DPAK For Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching  
applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
6 AMPERES  
Features  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
100 VOLTS  
20 WATTS  
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)  
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)  
• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series  
• Monolithic Construction With Built−in Base − Emitter Resistors  
• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in.  
MARKING  
DIAGRAMS  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
YWW  
J4xC  
2
1
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
100  
100  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
4
V
CEO  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 1  
YWW  
J4xC  
V
CB  
EB  
V
1
2
I
C
6
10  
Collector Current − Continuous  
Peak  
3
Y
= Year  
Base Current  
I
B
2
Adc  
WW  
x
= Work Week  
= 1 or 2  
P
D
20  
0.16  
W
W/°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
P
D
1.75  
0.014  
Total Power Dissipation* @ T = 25°C  
W
W/°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25°C  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to  
+150  
°C  
J
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient*  
R
q
JC  
JA  
R
q
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes  
recommended.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 5  
MJD41C/D  
123456

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