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MJD42

更新时间： 2024-11-04 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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5页 50K
描述
General Purpose Amplifier

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MJD42 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.57
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：140 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz

MJD42 数据手册

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MJD42C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP42C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
-100  
-100  
-5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
I
-6  
A
C
-10  
A
CP  
B
-2  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= - 30mA, I = 0  
-100  
V
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= -60V, I = 0  
-50  
-10  
µA  
µA  
mA  
CE  
CE  
BE  
B
= -100V, V = 0  
BE  
= -5V, I = 0  
-0.5  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= -4V, I = -0.3A  
30  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= -4V, I = -3A  
75  
-1.5  
-2  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= -6A, I = -600mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= -6A, I = -4A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= -10V, I = -500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

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