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MJD31CT4-A

更新时间： 2024-09-13 03:29:43

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	241K
描述
Low voltage NPN power transistor

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MJD31CT4-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.71
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MJD31CT4-A 数据手册

MJD31CT4-A

Low voltage NPN power transistor

General features

■ This device is qualified for automotive

application

■ Surface-mounting TO-252 power package in

tape & reel

■ In compliance with the 2002/93/EC European

Directive

Applications

DPAK

TO-252

■ General purpose switching and amplifier

transistor

Description

Internal schematic diagram

The device is manufactured in Planar technology

with “Base Island” layout. The resulting transistor

shows exceptional high gain performance

coupled with very low saturation voltage.

Order codes

Part Number

Marking

Package

Packaging

MJD31CT4-A

MJD31C

DPAK

Tape & reel

April 2007

Rev 1

1/9

www.st.com

12 3 4 5 6 7...9

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MJD31CT4-A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJD31C	STMICROELECTRONICS	完全替代	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31CT4	STMICROELECTRONICS	类似代替	Low voltage NPN power transistor
MJD31CT4G	ONSEMI	功能相似	Complementary Power Transistors

与MJD31CT4-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD31CT4G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31CTF	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
MJD31CTF	ONSEMI	获取价格	3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD31CTF_SBDD001A	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic
MJD31C-TP	MCC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer Transistors
MJD31C-TP-HF	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD31CUQ	DIODES	获取价格	NPN, 100V, 3A, TO252
MJD31T4	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31T4	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31T4G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors