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MJD31CT4

更新时间： 2024-11-01 04:15:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	244K
描述
Low voltage NPN power transistor

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MJD31CT4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	0.56	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	15 W	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1.2 V
Base Number Matches：	1

MJD31CT4 数据手册

MJD31CT4

Low voltage NPN power transistor

General features

■ Surface-mounting TO-252 power package in

tape & reel

■ In compliance with the 2002/93/EC European

Directive

Applications

■ General purpose switching and amplifier

transistor

DPAK

TO-252

Description

The device is manufactured in Planar technology

with “Base Island” layout. The resulting transistor

shows exceptional high gain performance

coupled with very low saturation voltage.

Internal schematic diagram

Order codes

Part Number

Marking

Package

Packing

MJD31CT4

MJD31C

DPAK

Tape & reel

April 2007

Rev 2

1/9

www.st.com

12 3 4 5 6 7...9

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MJD31CT4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJD31C	STMICROELECTRONICS	完全替代	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31CT4-A	STMICROELECTRONICS	类似代替	Low voltage NPN power transistor
MJD31CT4G	ONSEMI	功能相似	Complementary Power Transistors

与MJD31CT4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD31CT4-A	STMICROELECTRONICS	获取价格	Low voltage NPN power transistor
MJD31CT4G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31CTF	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
MJD31CTF	ONSEMI	获取价格	3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD31CTF_SBDD001A	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic
MJD31C-TP	MCC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer Transistors
MJD31C-TP-HF	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD31CUQ	DIODES	获取价格	NPN, 100V, 3A, TO252
MJD31T4	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
MJD31T4	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors