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MJD31C-1

更新时间： 2024-02-10 08:25:05

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	127K
描述
3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3

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MJD31C-1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.32
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

MJD31C-1 数据手册

MJD31, NJVMJD31T4G,

MJD31C, NJVMJD31CT4G

(NPN), MJD32,

NJVMJD32T4G, MJD32C,

NJVMJD32CG,

NJVMJD32CT4G (PNP)

http://onsemi.com

Complementary Power

Transistors

SILICON

POWER TRANSISTORS

3 AMPERES

DPAK For Surface Mount Applications

40 AND 100 VOLTS

15 WATTS

Designed for general purpose amplifier and low speed switching

applications.

COMPLEMENTARY

Features

COLLECTOR

2,4

COLLECTOR

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

2,4

BASE

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

EMITTER

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

DPAK

IPAK

CASE 369C

STYLE 1

CASE 369D

STYLE 1

MARKING DIAGRAMS

YWW

J3xxG

AYWW

J3xxG

DPAK

IPAK

= Site Code

= Year

= Work Week

= 1, 1C, 2, or 2C

= Pb−Free Package

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 9 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

Publication Order Number:

July, 2013 − Rev. 12

MJD31/D

12 3 4 5 6 7...11

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与MJD31C-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD31C1G	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31CA	NEXPERIA	获取价格	100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction
MJD31CEITU	ONSEMI	获取价格	3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD31CG	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD31CHE3	MCC	获取价格
MJD31CHQ	DIODES	获取价格	NPN, 100V, 3A, TO252
MJD31CH-Q	NEXPERIA	获取价格	100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction
MJD31CITU	ONSEMI	获取价格	3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD31CQ	YANGJIE	获取价格	TO-252
MJD31CQ-13	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic