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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 900 ns | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD31C1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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| MJD31CA | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction |
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| MJD31CEITU | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor |
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| MJD31CG | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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| MJD31CHE3 | MCC |
获取价格 |
|
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| MJD31CHQ | DIODES |
获取价格 |
NPN, 100V, 3A, TO252 |
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| MJD31CH-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
100 V, 3 A NPN high power bipolar transistorProduction |
|
| MJD31CITU | ONSEMI |
获取价格 |
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor |
|
| MJD31CQ | YANGJIE |
获取价格 |
TO-252 |
|
| MJD31CQ-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
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