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MJD127TF PDF预览

MJD127TF

更新时间： 2024-09-16 12:10:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 56K
描述
D-PAK for Surface Mount Applications

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MJD127TF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：2.97
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJD127TF 数据手册

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MJD127  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
•
High DC Current Gain  
Built-in a Damper Diode at E-C  
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP127  
Complement to MJD122  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Silicon Darlington Transistor  
Equivalent Circuit  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
Value  
- 100  
- 100  
- 5  
Units  
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
B
V
I
I
I
- 8  
A
C
- 16  
A
CP  
B
- 120  
20  
mA  
W
W
°C  
°C  
R1  
R2  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
E
R1 8 kΩ  
R2 0.12 k Ω  
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= - 30mA, I = 0  
- 100  
V
CEO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= - 50V, I = 0  
- 10  
- 10  
- 2  
µA  
µA  
mA  
CE  
CB  
EB  
B
= - 100V, I = 0  
E
= - 5V, I = 0  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= - 4V, I = - 4A  
1000  
100  
12K  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, V = -8A  
EB  
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= - 4A, I = - 16mA  
- 2  
- 4  
V
V
CE  
C
C
B
= - 8A, I = - 80mA  
B
V
V
C
(sat)  
(on)  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter ON Voltage  
Output Capacitance  
I
= - 8A, I = - 80mA  
- 4.5  
- 2.8  
300  
V
V
BE  
BE  
ob  
C
B
V
V
= -4V, I = - 4A  
C
CE  
= - 10V, I = 0  
pF  
CB  
E
f= 0.1MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

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MJD127TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH127TM FAIRCHILD

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic
MJD127TF ONSEMI

类似代替

 8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
KSH127TF FAIRCHILD

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MJD127-TP-HF MCC

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MJD128 ONSEMI

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MJD128T4 ONSEMI

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MJD128T4G ONSEMI

获取价格

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