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MJD112

更新时间： 2024-11-05 14:54:11

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
5页	1735K
描述
TO-252-2L

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MJD112 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.44
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	2	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25 MHz	Base Number Matches：	1

MJD112 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

TO-252-2L

MJD112

TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

3. EMITTER

y Complementary Darlington Power Transistors

Dpak for Surface Mount Applications

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

BC307ꢀ'ꢁ#ꢂ"ꢁꢃ"ꢄꢅꢁꢃ

ꢆꢄꢇꢂꢅꢃꢅꢄꢈꢀꢉꢊꢁꢁ ꢃ!ꢄꢇꢅꢂ ꢃ"ꢄ!ꢋꢄꢌ ꢅꢃꢅꢁ#ꢂ"ꢁ$ꢃ ꢃ

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XXXX=Code

MJD112

XXXX

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

P_C

Collector Power Dissipation

1.5

6.25

83.3

R_θ

Thermal resistance, junction to case

Thermal resistance, junction to Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

℃/W

℃

R_θ

T_J,T_stg

-55-150

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.2

12 3 4 5

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