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MJ900

更新时间： 2024-02-05 19:40:40

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	215K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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MJ900 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6 MHz
Base Number Matches：	1

MJ900 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

MJ900

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO=-60V(Min.)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min.)@I_C=-3A

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_{CE (sat)}=-2.0V(Max.)@ I_C=-3A

APPLICATIONS

·Designed for use as output devices in complementary

general purpose amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-60

UNIT

-60

-5

Collector Current-Continunous

Base Current-Continunous

-8

I_B

-0.1

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

200

T_stg

Storage Temperature Range

-55~+200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.94

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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