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MJ21196G

更新时间： 2024-09-24 03:49:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 83K
描述
Silicon Power Transistors

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MJ21196G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-3包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.85Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1549845
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：TO-204 (TO-3) (1-07)
Samacsys Released Date：2020-03-09 10:08:51Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

MJ21196G 数据手册

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MJ21195 − PNP  
MJ21196 − NPN  
Preferred Devices  
Silicon Power Transistors  
The MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technology  
and are specifically designed for high power audio output, disk head  
positioners and linear applications.  
http://onsemi.com  
Features  
16 AMPERES  
• Total Harmonic Distortion Characterized  
COMPLEMENTARY SILICON-  
POWER TRANSISTORS  
250 VOLTS, 250 WATTS  
• High DC Current Gain − h = 25 Min @ I = 8 Adc  
FE  
C
• Excellent Gain Linearity  
• High SOA: 3 A, 80 V, 1 Sec  
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
250  
400  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage − 1.5V  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
V
CEX  
400  
Collector Current − Continuous  
− Peak (Note 1)  
I
C
16  
30  
MARKING DIAGRAM  
Base Current − Continuous  
I
B
5
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
250  
1.43  
W
W/_C  
_C  
C
D
Derate above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +200  
stg  
MJ2119xG  
AYWW  
MEX  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
0.7  
_C/W  
q
JC  
MJ2119x = Device Code  
x = 5 or 6  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
G
A
Y
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤10%.  
WW  
MEX  
= Work Week  
= Country of Origin  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MJ21195  
MJ21195G  
Package  
Shipping  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
TO−204  
(Pb−Free)  
MJ21196  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
MJ21196G  
TO−204  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 4  
MJ21195/D  
 
123456

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MJ21196G 替代型号

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