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MJ12004

更新时间： 2024-09-26 10:55:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	66K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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MJ12004 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

MJ12004 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

MJ12004

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Voltage-

V_CEX= 1500V

·Safe Operation Area

·Switching Time with Inductive Load

APPLICATIONS

·Designed for use in large screen color deflection circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

V_CEX

Collector-Emitter Voltage

1500

V_CEO(SUS)Collector-Emitter Voltage

750

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

Emitter Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

I_B

I_E

P_C

T_J

100

150

-65~150

℃

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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