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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJ11033
MJ11033 PDF预览

MJ11033

更新时间： 2024-09-24 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 157K
描述
COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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MJ11033 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：400JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MJ11033 数据手册

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by MJ11028/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-  
tions.  
•
High DC Current Gain — h  
h
= 1000 (Min) @ I = 25 Adc  
C
FE  
FE  
= 400 (Min) @ I = 50 Adc  
C
•
•
•
•
Curves to 100 A (Pulsed)  
Diode Protection to Rated I  
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor  
Junction Temperature to +200 C  
C
*Motorola Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
50 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
MJ11028 MJ11030 MJ11032  
MJ11029 MJ11031 MJ11033  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
60  
60  
90  
90  
5
120  
120  
DARLINGTON  
V
CB  
POWER TRANSISTORS  
60–120 VOLTS  
300 WATTS  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
50  
100  
I
CM  
Base Current — Continuous  
I
B
2
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
Derate above 25 C @ T = 100 C  
C
P
D
300  
1.71  
Watts  
W/ C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +200  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Maximum Lead Temperature for  
T
L
275  
C
CASE 197A–05  
TO–204AE (TO–3)  
Soldering Purposes for  
10 seconds  
Thermal Resistance Junction to Case  
R
0.584  
C
θJC  
COLLECTOR  
COLLECTOR  
PNP  
NPN  
MJ11029  
MJ11031  
MJ11033  
MJ11028  
MJ11030  
MJ11032  
BASE  
BASE  
≈
3.0 k  
≈
25  
≈
3.0 k  
≈
25  
EMITTER  
EMITTER  
Figure 1. Darlington Circuit Schematic  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1995
1234

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MJ11033 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJ11015G ONSEMI

类似代替

 High-Current Complementary Silicon Transistors
MJ11033G ONSEMI

类似代替

 High−Current Complementary Silicon Power Transistors
NTE2350 NTE

功能相似

 Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose

与MJ11033相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJ11033G ONSEMI

获取价格

 		High−Current Complementary Silicon Power Transistors
MJ11033G NJSEMI

获取价格

 		Trans Darlington PNP 120V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
MJ1103FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 110K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1130FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 113 OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1131FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 1.13K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1132FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 11.3K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1133FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 113K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1150FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 115 OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1152FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 11.5K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1153FE-R52 OHMITE

获取价格

 		RES 115K OHM 1/8W 1% AXIAL

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