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MJ11031

更新时间： 2024-11-20 12:47:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	53K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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MJ11031 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	3.5 V

MJ11031 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

MJ11031

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage

: V_(BR)CEO= -90V(Min.)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min.)@I_C= -25A

: h_FE= 400(Min.)@I_C= -50A

·Complement to Type MJ11030

APPLICATIONS

·Designed for use as output devices in complementary

general purpose amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-90

UNIT

-90

-5

Collector Current-Continunous

Collector Current-Peak

Base Current-Continunous

-50

I_CM

-100

-2

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

300

℃

T_j

Junction Temperature

200

T_stg

Storage Temperature Range

-55~+200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

0.584

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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