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MJ11017

更新时间： 2024-09-23 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 237K
描述
30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS

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MJ11017 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A基于收集器的最大容量：600 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：175 W最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
VCEsat-Max：3.4 VBase Number Matches：1

MJ11017 数据手册

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by MJ11017/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and  
motor control applications.  
•
•
High dc Current Gain @ 10 Adc — h  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
= 400 Min (All Types)  
FE  
V
V
= 150 Vdc (Min) – MJ11018, 17  
= 250 Vdc (Min) – MJ11022, 21  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
*Motorola Preferred Device  
•
Low Collector–Emitter Saturation  
V
V
= 1.0 V (Typ) @ I = 5.0 A  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
30 AMPERE  
DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
= 1.8 V (Typ) @ I = 10 A  
C
•
•
Monolithic Construction  
100% SOA Tested @ V  
= 44 V, I = 4.0 A, t = 250 ms.  
CE  
C
MAXIMUM RATINGS  
60–120 VOLTS  
200 WATTS  
MJ11018  
MJ11017  
MJ11022  
MJ11021  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
150  
250  
250  
V
150  
CB  
EB  
V
50  
Collector Current —  
Continuous Peak  
I
C
15  
30  
Base Current  
I
B
0.5  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate Above 25 C  
P
D
175  
1.16  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +175  
–65 to +200  
C
J
stg  
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(1) Pulse Test: Pulse Width 5.0 ms, Duty Cycle  
R
0.86  
C/W  
θJC  
10%.  
200  
150  
100  
50  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
C)  
175  
200  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1995
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJ11018 Wing Shing

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 		NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DR
MJ11018 ONSEMI

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 		DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ11018 MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11018 ISC

获取价格

 		isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
MJ11018 MOTOROLA

获取价格

 		30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11018 NJSEMI

获取价格

 		Trans Darlington NPN 150V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
MJ11019 MOSPEC

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 		POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11019 ISC

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 		isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
MJ11019 Wing Shing

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 		PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DR
MJ11019 NJSEMI

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 		Trans Darlington PNP 200V 30A

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