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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJ11016G | ONSEMI |
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High-Current Complementary Silicon Transistors |
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| MJ11016LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| MJ11016NPN | CDIL |
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SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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| MJ11017 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W) |
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| MJ11017 | MOTOROLA |
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30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS |
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| MJ11017 | ONSEMI |
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DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| MJ11017 | Wing Shing |
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PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DR |
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| MJ11017 | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| MJ11017 | NJSEMI |
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Trans Darlington PNP 150V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| MJ11018 | Wing Shing |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DR |
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