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MJ11016

更新时间： 2024-02-06 21:44:46

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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MJ11016 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

MJ11016 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

MJ11016

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min.)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min.)@I_C= 20A

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_{CE (sat)}= 3.0V(Max.)@ I_C= 20A

·Complement to Type MJ11015

APPLICATIONS

·Designed for use as output devices in complementary

general purpose amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

120

Collector Current-Continunous

Base Current-Continunous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

200

℃

T_j

Junction Temperature

200

T_stg

Storage Temperature Range

-55~+200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

0.87

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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MJ11017	Wing Shing	获取价格	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DR
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