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MJ10012

更新时间： 2024-01-22 03:48:43

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	111K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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MJ10012 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3	包装说明：	GREEN, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MJ10012 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

MJ10012

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage,high current

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Automotive ignition

·Switching regulator

·Motor control applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_C=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

600

400

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

175

200

-65~200

ꢀ

T_j

ꢀ

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

Thermal resistance from junction to case

1.0

ꢀ/W

R_{th j-C}

12 3

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