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MJ1001

更新时间： 2024-01-20 09:05:48

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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MJ1001 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	6 MHz	Base Number Matches：	1

MJ1001 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

MJ1000/1001

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Complement to type MJ900/901

APPLICATIONS

·For use as output devices in complementary

general purpose amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_C=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

MJ1000

MJ1001

MJ1000

MJ1001

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_B

Base current

0.1

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

-55~200

ꢀ

T_stg

12 3

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