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2SC738-11-D

更新时间: 2024-02-09 13:06:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 186K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

2SC738-11-D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.02 A集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):440 MHzBase Number Matches:1

2SC738-11-D 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC738-T11-C MITSUBISHI Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2SC738-T11-D MITSUBISHI Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2SC752(G)TM-O TOSHIBA TRANSISTOR 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI

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