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2SC710-11-E

更新时间： 2024-02-20 16:45:17

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2SC710-11-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC710-11-E 数据手册

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与2SC710-11-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC710-T11-B	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格
2SC710-T11-C	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格
2SC710-T11-D	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92	获取价格
2SC717	ETC	VHF RF AMPLIFIER, MIXER, OSCILLATOR	获取价格
2SC730	MITSUBISHI	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)	获取价格
2SC732	SWST	小信号晶体管	获取价格

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