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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
放大器晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 172K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | COMMON BASE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 400 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T5 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC5171 | TOSHIBA | NPN EPITAXIAL TYPE (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC5171 | JCST | Transistor |
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| 2SC5171_07 | TOSHIBA | Silicon NPN Epitaxial Type Power Amplifier Applications |
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| 2SC5172 | TOSHIBA | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC |
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| 2SC5172(Q) | TOSHIBA | 5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC5172_06 | TOSHIBA | Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) Switching Regulator and High-Voltage Switch |
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