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2SC5169G

更新时间： 2024-02-20 19:33:16

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

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2SC5169G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	400	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.4 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V

2SC5169G 数据手册

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与2SC5169G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5169H	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	获取价格
2SC517	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-37	获取价格
2SC5170G	MITSUBISHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon	获取价格
2SC5171	TOSHIBA	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)	获取价格
2SC5171	JCST	Transistor	获取价格
2SC5171_07	TOSHIBA	Silicon NPN Epitaxial Type Power Amplifier Applications	获取价格

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