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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-CQFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | S-CQFM-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 270 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3241 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3242 | ISAHAYA | FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC3242 | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO |
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| 2SC3242-11-E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SC3242-11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SC3242-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 |
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