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2SC3104

更新时间: 2024-02-17 22:58:35
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三菱 - MITSUBISHI 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 138K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

2SC3104 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:9 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F6元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:20 W最大功率耗散 (Abs):20 W
最小功率增益 (Gp):4.7 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC3104 数据手册

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