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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.68 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3052-T12-1G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053 | ISAHAYA | FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY, MEDIUM FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYP |
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| 2SC3053 | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN |
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| 2SC3053_10 | ISAHAYA | FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY, MEDIUM FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYP |
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| 2SC3053-12-1B | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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| 2SC3053-12-1D | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
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