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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-PRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A | 集电极-发射极最大电压： | 17 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 135 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.9 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W | 最小功率增益 (Gp)： | 14 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3020 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3021 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3022 | NJSEMI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC3022 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
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| 2SC3025 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3025 | HITACHI | HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING CHARACTER DISPLAY HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT |
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