品牌 | Logo | 应用领域 |
三菱 - MITSUBISHI | 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器局域网 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
2页 | 92K | |
描述 | ||
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-39 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | EMITTER | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 9 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 20 | 最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 4 W |
最大功率耗散 (Abs): | 4 W | 最小功率增益 (Gp): | 11 dB |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SC3018 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
获取价格 |
|
2SC3019 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
获取价格 |
|
2SC3020 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
获取价格 |
|
2SC3021 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
获取价格 |
|
2SC3022 | NJSEMI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
获取价格 |
|
2SC3022 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
获取价格 |