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2SC2933

更新时间: 2024-01-09 03:30:11
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三菱 - MITSUBISHI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

2SC2933 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:17 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F6
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:175 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):3 W最小功率增益 (Gp):6.7 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

2SC2933 数据手册

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