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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC1946 | NJSEMI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1946 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1946A | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| 2SC1946A | NJSEMI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1946A | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1947 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for industrial use RF power amplifiers on VHF band Mobile radio |
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