5秒后页面跳转
2SA1365-T12-1E PDF预览

2SA1365-T12-1E

更新时间: 2024-02-06 05:57:14
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 驱动开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

2SA1365-T12-1E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.83
其他特性:HIGH CURRENT DRIVER最大集电极电流 (IC):0.7 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):150JEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
Base Number Matches:1

2SA1365-T12-1E 数据手册

 浏览型号2SA1365-T12-1E的Datasheet PDF文件第2页 

与2SA1365-T12-1E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1366 ISAHAYA FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

获取价格

2SA1366 MITSUBISHI Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, PNP, Silicon, SC-59, 3 PIN

获取价格

2SA1366_10 ISAHAYA FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

获取价格

2SA1366-12-1E MITSUBISHI Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

获取价格

2SA1366-12-1F MITSUBISHI Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

获取价格

2SA1366D ISAHAYA Transistor

获取价格