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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 163K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92L, 3 PIN | ||
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-XBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 基于收集器的最大容量： | 42 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 16 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | O-XBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.9 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1282-11-E | MITSUBISHI | 暂无描述 |
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| 2SA1282-11-F | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SA1282-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 16V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SA1282A | ISAHAYA | FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1282A-11-E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SA1282A-11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L, 3 |
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