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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
放大器晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 115K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1115-T11-G | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1116 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1116 | ISC | isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SA1116 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1116 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 150V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| 2SA1117 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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