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2SA1115-11-E

更新时间: 2024-01-27 05:30:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SA1115-11-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):150
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

2SA1115-11-E 数据手册

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