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MITA15WB1200TMH

更新时间： 2024-11-21 20:10:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	131K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

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MITA15WB1200TMH 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-25	针数：	25
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-P23
元件数量：	7	端子数量：	23
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	140 ns	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

MITA15WB1200TMH 数据手册

Advanced Technical Information

MITA15WB1200TMH

Converter - Brake - Inverter Module

Trench IGBT

P P1

D8 D10 D12

NTC1

NTC2

D9 D11 D13

Pin conﬁguration see outlines.

Three Phase

Rectiﬁer

Brake Chopper

Three Phase

Inverter

V_RRM= ꢀ600 V

V_CES= ꢀ200 V V_CES= ꢀ200 V

I_DAVM25

90 A

I_C25

30 A I_C25

30 A

I_FSM= 300 A

V_CE(sat)

ꢀ.8 V V_CE(sat)

ꢀ.8 V

Application: AC motor drives with

Input Rectiﬁer Bridge D8 - D13

• Input from single or three phase grid

• Three phase synchronous or

asynchronous motor

Symbol

V_RRM

Conditions

Maximum Ratings

ꢀ600

• electric braking operation

I_FAV

I_DAVM

I_FSM

T_C= 80°C; sine ꢀ80°

300

bridge output current; T_C= 80°C; rect.; d = ^ꢀ/₃

T_VJ= 25°C; t = ꢀ0 ms; sine 50 Hz

Features

• High level of integration - only one

power semiconductor module required

for the whole drive

• Inverter with Trench IGBTs

- low saturation voltage

P_tot

T_C= 25°C

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

- positive temperature coefﬁcient

- fast switching

- short tail current

• Epitaxial free wheeling diodes with

hiperfast and soft reverse recovery

• Industry standard package with

insulated copper base plate and

soldering pins for PCB mounting

• Temperature sense included

V_F

I_R

I_F= 30 A

V_R= V_RRM

T_VJ= 25°C

T_VJ= ꢀ25°C

ꢀ.3

ꢀ.4

ꢀ.6

T_VJ= 25°C

T_VJ= ꢀ25°C

0.0ꢀ

0.3

0.7

R_thJC

R_thCH

(per diode)

2.ꢀ K/W

K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

ꢀ - 4

12 3 4

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与MITA15WB1200TMH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MITA300RF1700PTED	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
MITA30WB600TMH	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINI PACKAGE-23
MITB10WB1200TMH	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
MITB15WB1200TMH	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
MITH225PF1200LP	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
MITH300PF1200LP	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
MITH450PF1200LP	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
MITI-3V1	HAMLIN	获取价格	Ultra-miniature normally open switch with 7.00mm x 1.80mm
MITI-3V1-6-10	LITTELFUSE	获取价格	Dry Reed Switch,
MITI-7	LITTELFUSE	获取价格	7mm Ultra-Miniature Reed Switch

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