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MIG10Q906HA

更新时间: 2024-02-11 06:28:37
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网电动机控制双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 363K
描述
TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MIG10Q906HA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-P24元件数量:6
端子数量:24最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):600 ns标称接通时间 (ton):150 ns
Base Number Matches:1

MIG10Q906HA 数据手册

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