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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-P24 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 150 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MIG10Q906H | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MIG10Q906HA | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MIG150J201H | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MIG150J202H | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MIG150J202HC | TOSHIBA | 暂无描述 |
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| MIG150J6CSB1W | MITSUBISHI | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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