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MIG10J855E

更新时间: 2024-01-27 10:19:56
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 159K
描述
TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,3-PH BRIDGE,600V V(BR)CES,10A I(C)

MIG10J855E 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:600 V
门极-发射极最大电压:20 V元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大功率耗散 (Abs):40 W
子类别:Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max:2.8 V
Base Number Matches:1

MIG10J855E 数据手册

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